بررسی ثابت دی الکتریک لایه نازک sio۲با استفاده از آزمون بیضی سنجی
نویسندگان
چکیده
sio2در این مقاله به بررسی رفتار نوری لایه های نازک (teos )تهیه شده به روش سل ژل چرخشی با استفاده از پیش ماده تترااتیل اورتوسیلیکات ، در دماهای مختلف(600– 400) درجه سانتی گراد پرداخته شده uv-vis است. از نتایج حاصل از آزمون برای به دست آوردن لبه جذب و گاف انرژی لایه ها و از آزمون بیضی سنجی (الیپسومتری) برای به دست آورن ضریب شکست نوری و ضرایب دی الکتریک آنها استفاده شد. نتایج نشان داد که لایه های نازک سیلیکا به دست آمده از این روش دارای عدد سطح ویژه و درصد تخلخل بالای بین 9/4 و 2/16، چگالی کم 2 و ضریب دی الکتریک پایین 2 است. همچنین با افزایش دما ثابت دی الکتریک و درصد تخلخل لایه ها افزایش یافته است که علت این امر تغییرات زبری سطح و اندازه ذرات می باشد.
منابع مشابه
بررسی ثابت دی الکتریک لایه نازک SiO2با استفاده از آزمون بیضی سنجی
In this paper, we studied the optical behavior of SiO2 thin films prepared via sol-gel route using spin coating deposition from tetraethylorthosilicate (TEOS) as precursor. Thin films were annealed at different temperatures (400-600oC). Absorption edge and band gap of thin layers were measured using UV-Vis spectrophotometery. Optical refractive index and dielectric constant were measured by ell...
متن کاملبیضی سنجی عددی لایه های نازک ناهمسانگرد
بیضی سنجی یک روش اپتیکی غیر مخرب و غیر تماسی برای مشخصه یابی سطوح مشترک و لایه های نازک است. این روش بر اساس تغییر قطبش نور به هنگام انعکاس از سطوح استوار است. با انجام بیضی سنجی های عددی و مقایسه آنها با داده های بیضی سنجی تجربی می توان مدل های فیزیکی مناسبی برای سطوح و لایه های نازک ارائه داد. هدف اصلی در این پایان نامه طراحی و اجرای یک کد رایانه ای برای انجام بیضی سنجی عددی از لایه های نازک ...
15 صفحه اولکنترل جریان هوا در لایه مرزی با استفاده از محرک تخلیه سد دی الکتریک
محرک‌های پلاسمایی آیرودینامیک، قابلیت خود را به عنوان یک ابزار کنترل جریان در کاربردهای متفاوت، نشان داده‌است. مطالعه حاضر نتایج یک طرح ابتکاری را ارائه می دهد که در آن از یک منبع تغذیه برای تولید جریان ولتاژ بالا (بیش از 8 کیلو ولت) و در بسامد بالا (بیش از 10 کیلوهرتز) استفاده شد. سپس این جریان برای یونیزه کردن هوای راکد در فشار اتمسفری در سطح یک قطعه محرک پلاسمایی به کار برده شد. پیکربندی م...
متن کاملمطالعه خواص اپتیکی لایه های نازک به روش بیضی سنجی
در این تحقیق، لایه¬های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی واکنش¬پذیر بر روی زیرلایه¬های شیشه¬ای لایه¬نشانی شده¬اند. لایه¬های نمونه با ضخامت¬های اسمی 100، 150 و 250 نانومتر با نرخ انباشت ثابتnm/s 10/0 تهیه شدند. دمای زیر لایه¬ها در خلال لایه¬نشانی در دمای اتاق نگه داشته شد. با استفاده از روش بیضی¬سنجی ثابت¬های اپتیکی، ضریب شکست(n)، ضریب خاموشی (k) در گستره طول موج 370 تا 1...
15 صفحه اولتاثیر قرار دادن لایه نازک سیلیکون در زیر غشای دی الکتریک بر روی عملکرد یک میکروهیتر
با توسعه ریزفناوری میکروماشینکاری و میکروالکترونیک، میکروهیترها کاربردهای زیادی در میکروحسگرها پیدا کردهاند. یکنواختی توزیع دما یکی از عوامل تاثیرگذار در افزایش حساسیت و دقت یک حسگر گازی است که در آن هیتر استفاده شده است. در این مقاله روش قرار دادن لایه نازک سیلیکون در زیر غشای دیالکتریک به منظور بهبود یکنواختی گرما در میکروهیتر، مورد بررسی قرار گرفته است. دو میکروهیتر پلاتینی با ساختار غشای...
متن کاملتهیه فیلم‌های نازک (نازک لایه) از ترکیبات آلی با استفاده از لایه نشانی چرخشی و لانگمور- بلاجت
فیلم نازک (نازک لایه)، لایه‌ای از مواد آلی با ضخامتی در حد نانومتر تا میکرومتر است. سنتز کنترل‌شده فیلم‌های نازک موضوع مهمی در کاربردهای آنهاست. فیلم های نازک آلی با ضخامت نانومتری، ساختارهایی مفید برای کاربرد در حسگرها، شناساگرها، نمایشگرها و اجزای مدارهای الکترونیکی به‌شمار می‌آیند. لایه نشانی چرخشی و لانگمور- بلاجت از روش‌های کاربردی تهیه فیلم‌های نازک محسوب می‌شوند. در لایه نشانی چرخشی، نیر...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
عنوان ژورنال:
پژوهش فیزیک ایرانجلد ۱۴، شماره ۲، صفحات ۱۶۱-۱۶۶
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023